IMT17T110 Spécifications techniques

TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 300mW
Gain Bandwidth Product 200MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 50mA, 500mA
Transition Frequency 200MHz
Collector Base Voltage (VCBO) -60V
hFE Min 120
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -500mA
Base Part Number MT17
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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