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MP6K12TCR Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Base Part Number *K12
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 5A
Drain-source On Resistance-Max 0.063Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Max Power Dissipation 2W
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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