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MP6M11TCR Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Base Part Number *M11
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max 0.14Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Max Power Dissipation 2W
Reach Compliance Code unknown
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98m Ω @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 85pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
MP6M11TCR LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2704
MP6M12TCR LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2501
MP6M12TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays
MP6M14TCR LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2701
MP6M14TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays

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