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QH8K26TR Spécifications techniques
QH8K26 IS LOW ON-RESISTANCE AND
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38m Ω @ 7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 5V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.038Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 40V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 1.1W Ta |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A Ta |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 18A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 1 mJ |
FET Feature | Standard |
QH8K26TR Documents
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Feuilles de données
D'autres incluent "QH8K2" les pièces
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
QH8K22TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays |
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