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QS5Y1TR Spécifications techniques
TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 20 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G5 |
Configuration | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Max Collector Current | 3A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 30V |
Max Breakdown Voltage | 30V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2011 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 1.25W |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 5 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 1.25W |
Polarity/Channel Type | NPN AND PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 400mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
Transition Frequency | 270MHz |
Frequency - Transition | 300MHz 270MHz |
Lead Free | Lead Free |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
QS5Y1TR | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2703 |
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