QS6J11TR Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 600mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *J11
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Channels 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105m Ω @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 6V
Rise Time 17ns
Fall Time (Typ) 35 ns
Continuous Drain Current (ID) 2A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 8A
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 8
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Number of Elements 1
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Turn-Off Delay Time 65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.105Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
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