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QS8J5TR Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 8
Number of Channels 2
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.039Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Max Power Dissipation 600mW
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V
Rise Time 40ns
Fall Time (Typ) 55 ns
Continuous Drain Current (ID) 5A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
QS8J5TR LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2604

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