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QS8M51TR Spécifications techniques
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 20 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2015 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 8 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A 1.5A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Continuous Drain Current (ID) | 1.5A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 2A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 6A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Max Power Dissipation | 1.5W |
Base Part Number | *M51 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N and P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 325m Ω @ 2A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 5V |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.355Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 100V |
FET Feature | Logic Level Gate |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
QS8M51TR Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
QS8M51TR | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 89775 |
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