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RGT00TS65DGC11 Spécifications techniques

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 277W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 54ns
Current - Collector (Ic) (Max) 85A
Test Condition 400V, 50A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 225 ns
Gate Charge 94nC
Td (on/off) @ 25°C 42ns/137ns
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RGT00TS65DGC11 fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, RGT00TS65DGC11 prix de référence. RGT00TS65DGC11 paramètres, RGT00TS65DGC11 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RGT00TS65DGC11 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RGT00TS65DGC11 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RGT00TS65DGC11 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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