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RGT40TS65DGC11
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RGT40TS65DGC11 Spécifications techniques
IGBT 650V 40A 144W TO-247N
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 650V |
Reverse Recovery Time | 58 ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65V |
Test Condition | 400V, 20A, 10 Ω, 15V |
Continuous Collector Current | 20A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
REACH SVHC | Unknown |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Weight | 38.000013g |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 2014 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Power Dissipation | 144W |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 144W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 40A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 650V |
Turn On Time | 51 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
Turn Off Time-Nom (toff) | 204 ns |
Gate Charge | 40nC |
Td (on/off) @ 25°C | 22ns/75ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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