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RGT8NS65DGC9
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RGT8NS65DGC9 Spécifications techniques
IGBT
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Reverse Recovery Time | 40ns |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Test Condition | 400V, 4A, 50 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 158 ns |
Gate Charge | 13.5nC |
Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 65W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Turn On Time | 54 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 12A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
RGT8NL65DGTL | ROHM Semiconductor | IGBTs simples | |
RGT8NS65DGTL | LAPIS Semiconductor | Transistors - IGBT - Simple | 2615 |
RGT8NS65DGTL | ROHM Semiconductor | IGBTs simples |
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