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RGTV60TS65GC11 Spécifications techniques

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE
Power - Max 194W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Test Condition 400V, 30A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 201 ns
Gate Charge 64nC
Td (on/off) @ 25°C 33ns/105ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 570μJ (on), 500μJ (off)
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RGTV60TS65GC11 fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, RGTV60TS65GC11 prix de référence. RGTV60TS65GC11 paramètres, RGTV60TS65GC11 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RGTV60TS65GC11 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RGTV60TS65GC11 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RGTV60TS65GC11 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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