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RGW60TK65DGVC11 Spécifications techniques

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 92ns
Current - Collector (Ic) (Max) 33A
Test Condition 400V, 30A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 209 ns
Gate Charge 84nC
Td (on/off) @ 25°C 37ns/114ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Power - Max 72W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 480μJ (on), 490μJ (off)
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