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RJ1U330AAFRGTL Spécifications techniques

NCH 250V/33A POWER MOSFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature 150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105m Ω @ 16.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Continuous Drain Current (ID) 33A
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Manufacturer Package Identifier LPT(S)
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 211W Tc
Power Dissipation 211W
Turn On Delay Time 50 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 74.8 mJ
Height 5mm
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RJ1U330AAFRGTL LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 0

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