RTR030N05TL Spécifications techniques

MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 21 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67m Ω @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 26 ns
Continuous Drain Current (ID) 3A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Drain to Source Breakdown Voltage 45V
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-96
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 1W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Ta
Rise Time 19ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain-source On Resistance-Max 0.095Ohm
Height 900μm
Width 1.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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