RUE002N02TL Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V .2A EMT3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 150mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ω @ 200mA, 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
Rise Time 10ns
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 1.4Ohm
Height 700μm
Width 800μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 150mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.2V 2.5V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Length 1.6mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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