RUM002N05T2L Spécifications techniques

MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.2V 4.5V
Fall Time (Typ) 55 ns
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
Drain to Source Breakdown Voltage 50V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150mW Ta
Power Dissipation 150mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ω @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
Rise Time 6ns
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 2.4Ohm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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