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RV1C001ZPT2L Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Terminal Position BOTTOM
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 100mW Ta
Power Dissipation 100mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 Ω @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 10V
Rise Time 62ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.2V 4.5V
Fall Time (Typ) 137 ns
Continuous Drain Current (ID) 100mA
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 3-SMD, No Lead
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±10V
Turn-Off Delay Time 325 ns
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.1A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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