RYM002N05T2CL Spécifications techniques

MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ω @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 10V
Rise Time 8ns
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 2.8Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 0.9V 4.5V
Fall Time (Typ) 43 ns
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
Drain to Source Breakdown Voltage 50V
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