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RYM002N05T2CL Spécifications techniques
MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 150mW Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ω @ 200mA, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 10V |
Rise Time | 8ns |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 17 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Drain-source On Resistance-Max | 2.8Ohm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-723 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2010 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA Ta |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 0.9V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 43 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 200mA |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.2A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 50V |
Lead Free | Lead Free |
RYM002N05T2CL Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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