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SCH2080KEC Spécifications techniques

MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 19 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Max Output Current 2A
Number of Channels 1
Power Dissipation-Max 262W Tc
Output Configuration High Side
Power Dissipation 262W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117m Ω @ 10A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Vgs (Max) +22V, -6V
Turn-Off Delay Time 70 ns
Threshold Voltage 2.8V
Drain to Source Breakdown Voltage 1.2kV
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 25.83mm
Width 20.95mm
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature 175°C TJ
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Number of Elements 1
Interface On/Off
Element Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 37 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4.4mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A Tc
Rise Time 33ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 18V
Fall Time (Typ) 28 ns
Continuous Drain Current (ID) 40A
Gate to Source Voltage (Vgs) 22V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 80A
Nominal Vgs 4 V
Length 15.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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