SCT2160KEC Spécifications techniques

MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 19 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 23 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A Tc
Rise Time 25ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 18V
Fall Time (Typ) 27 ns
Continuous Drain Current (ID) 22A
Gate to Source Voltage (Vgs) 4V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 55A
Height 5.03mm
Width 20.95mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature 175°C TJ
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 160mOhm
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 165W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 208m Ω @ 7A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Vgs (Max) +22V, -6V
Turn-Off Delay Time 67 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 1.2kV
Nominal Vgs 4 V
Length 15.9mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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