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SCT2160KEC Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 19 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 23 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A Tc |
Rise Time | 25ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 18V |
Fall Time (Typ) | 27 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 22A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 4V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 55A |
Height | 5.03mm |
Width | 20.95mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | 175°C TJ |
Published | 2012 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Resistance | 160mOhm |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 165W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208m Ω @ 7A, 18V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 800V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 18V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
Turn-Off Delay Time | 67 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 1.2kV |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 15.9mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
SCT2160KEC Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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