SCT3017ALHRC11 Spécifications techniques

AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 21 Weeks
Package / Case TO-247-3
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 23.5mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 118A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) +22V, -4V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C TJ
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Reach Compliance Code not_compliant
Power Dissipation-Max 427W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.1m Ω @ 47A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2884pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 172nC @ 18V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 18V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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