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SH8J65TB1 Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Power Dissipation 2W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 29 mΩ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Base Part Number *J65
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 7A
Input Capacitance 1.2nF
Drain to Source Resistance 31mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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