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SH8M4TB1 Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Power Dissipation 2W
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 18 mΩ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Not For New Designs
Max Operating Temperature 150°C
Base Part Number *M4
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 7A
Input Capacitance 1.19nF
Drain to Source Resistance 17mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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SH8M4TB1 fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, SH8M4TB1 prix de référence. SH8M4TB1 paramètres, SH8M4TB1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SH8M4TB1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SH8M4TB1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SH8M4TB1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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