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SH8MA2GZETB Spécifications techniques

SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.4W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.08Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80m Ω @ 4.5A, 10V, 82m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125pF 305pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC, 6.7nC @ 4.5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1.1 mJ
FET Feature Standard
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SH8MA2GZETB fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, SH8MA2GZETB prix de référence. SH8MA2GZETB paramètres, SH8MA2GZETB Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SH8MA2GZETB Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SH8MA2GZETB schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SH8MA2GZETB tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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