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SM6K2T110 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Resistance 2.4Ohm
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 300mW
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ω @ 200mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 10V
Rise Time 5ns
Turn-Off Delay Time 12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
FET Feature Logic Level Gate
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 200mA
Base Part Number *K2
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.1mm
Width 1.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
SM6K2 ROHM Circuits intégrés spécialisés 2698
SM6K2 T110 ROHM Circuits intégrés spécialisés 3390
SM6K2T110 LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 6229

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