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SP8J3FU6TB Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Base Part Number *J3
Power Dissipation 2W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90m Ω @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 10V
Rise Time 15ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 35 ns
Threshold Voltage -2.5V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
REACH SVHC No SVHC
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SP8J3FU6TB fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, SP8J3FU6TB prix de référence. SP8J3FU6TB paramètres, SP8J3FU6TB Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SP8J3FU6TB Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SP8J3FU6TB schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SP8J3FU6TB tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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