SP8K3FU6TB Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Termination SMD/SMT
Subcategory FET General Purpose Power
Base Part Number *K3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 2.5 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Threshold Voltage 2.5V
Dual Supply Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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