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SP8M5FU6TB Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Other Transistors
Base Part Number *M5
Power Dissipation 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A 7A
Rise Time 50ns
Fall Time (Typ) 70 ns
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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