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SP8M6TB Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form GULL WING
Current Rating 5A
Base Part Number *M6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A 3.5A
Rise Time 15ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
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