TT8J11TCR Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 650mW
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 650mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 8
Subcategory Other Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43m Ω @ 3.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 6V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Drain-source On Resistance-Max 0.043Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 12V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
Lead Free Lead Free
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TT8J11TCR fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, TT8J11TCR prix de référence. TT8J11TCR paramètres, TT8J11TCR Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TT8J11TCR Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TT8J11TCR schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TT8J11TCR tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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