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UM6K33NTN Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Part Status Active
Number of Terminations 6
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ω @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 2.4Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 120mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Turn On Delay Time 4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rise Time 6ns
Fall Time (Typ) 55 ns
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
DS Breakdown Voltage-Min 50V
FET Feature Logic Level Gate, 1.2V Drive
RoHS Status ROHS3 Compliant
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