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UMA4NTR Spécifications techniques
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Package / Case | SOT-353 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 150mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Max Collector Current | 100mA |
Transition Frequency | 250MHz |
hFE Min | 100 |
VCEsat-Max | 0.3 V |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Number of Pins | 5 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | DIGITAL |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -100mA |
Pin Count | 5 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 150mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
DC Current Gain-Min (hFE) | 100 |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
UMA4NTR Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
UMA4N | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 1751 |
UMA4N TR | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 24000 |
UMA4NT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 618 |
UMA4NT1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
UMA4NT1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
UMA4NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2610 |
UMA4NT1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
UMA4NTR | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 6213 |
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