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UMB10NTN Spécifications techniques
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Published | 2008 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -100mA |
Base Part Number | MB10 |
Max Output Current | 100mA |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | -100mA |
VCEsat-Max | 0.3 V |
Length | 2.1mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 150mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 6 |
Operating Supply Voltage | 50V |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 300mW |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | -5V |
Resistor - Base (R1) | 2.2k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Height | 900μm |
Width | 1.35mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
UMB10NTN Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
UMB10 | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 177362 |
UMB10 N TN | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 3283 |
UMB10F | TRR | Circuits intégrés spécialisés | 1000430 |
UMB10N | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 3203 |
UMB10NFHATN | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2614 |
UMB10NFHATN | ROHM Semiconductor | Tableaux BJT Transistors | |
UMB10NTN | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 1423 |
UMB10NTN IC | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 1012 |
UMB10NTR | ROHMNMX | Circuits intégrés spécialisés | 54000 |
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