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UMF4NTR Spécifications techniques

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 500mA
Frequency - Transition 250MHz 260MHz
Resistor - Base (R1) 2.2k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Pin Count 6
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA 5V / 270 @ 10mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 12V
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 20
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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