UMG2NTR Spécifications techniques

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SOT-353
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3/e2
Part Status Active
Number of Terminations 5
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 30mA
Pin Count 5
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
DC Current Gain-Min (hFE) 68
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 5
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish TIN/TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 68
VCEsat-Max 0.3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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