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UMG8NTR Spécifications techniques

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Base Part Number *MG8
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 5
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 80
Continuous Collector Current 100mA
VCEsat-Max 0.3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
UMG8N ROHM Circuits intégrés spécialisés 1274
UMG8NFHATR LAPIS Semiconductor Circuits intégrés spécialisés 1776
UMG8NFSTR ROHM Circuits intégrés spécialisés 1805
UMG8NTR LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 109047

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