UMH2NFHATN Spécifications techniques

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 47k Ω
REACH SVHC Unknown
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
UMH2N Original Circuits intégrés spécialisés 45306
UMH2N TN ROHM Circuits intégrés spécialisés 2620
UMH2N TR ROHM Circuits intégrés spécialisés 3071
UMH2N-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 2594
UMH2N-TP Micro Commercial Co Arrays de transistors BJT
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UMH2NL02TV ROHM Circuits intégrés spécialisés 12000
UMH2NTN LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 3408
UMH2NTN ROHM Semiconductor Arrays de transistors BJT
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