UMH8NTR Spécifications techniques

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SC
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Pin Count 6
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Transition Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 100
VCEsat-Max 0.3 V
Length 2.1mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature DIGITAL
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 300mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
DC Current Gain-Min (hFE) 100
Height 900μm
Width 1.35mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
UMH8N TR ROHM Circuits intégrés spécialisés 2800
UMH8NTR LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 15000
UMH8NTR IC LAPIS Semiconductor Circuits intégrés spécialisés 15412

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