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UMN11NTN Spécifications techniques
UMN11NTN datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Arrays product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Réseau de diodes redresseuses |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Tolerance | 10% |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Terminal Finish | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.10.00.70 |
Subcategory | Signal Diodes |
Max Power Dissipation | 150mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | MN11 |
Case Code (Metric) | 0603 |
Number of Elements | 4 |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 70V |
Output Current | 100mA |
Forward Current | 100mA |
Operating Temperature - Junction | 150°C Max |
Forward Voltage | 1.2V |
Average Rectified Current | 100mA |
Peak Reverse Current | 100nA |
Peak Non-Repetitive Surge Current | 4A |
Max Forward Surge Current (Ifsm) | 4A |
Reverse Test Voltage | 70V |
Length | 1.6002mm |
Thickness | 889μm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Diode Element Material | SILICON |
Published | 2001 |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Voltage - Rated | 100V |
Capacitance | 6.8nF |
Voltage - Rated DC | 80V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 6 |
Case Code (Imperial) | 0201 |
Element Configuration | Common Cathode |
Diode Type | Standard |
Power Dissipation | 150mW |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Max Reverse Leakage Current | 100nA |
Max Surge Current | 4A |
Max Reverse Voltage (DC) | 80V |
Reverse Recovery Time | 4 ns |
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) | 80V |
Diode Configuration | 2 Pair Common Cathode |
Recovery Time | 4 ns |
Height | 900μm |
Width | 508μm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Ratings | AEC-Q200 |
UMN11NTN Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
UMN11 | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 371 |
UMN11 N TN | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 6336 |
UMN11N | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 9368 |
UMN11N TN | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 2677 |
UMN11NFHTN | ROHM Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
UMN11NTN | LAPIS Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 318037 |
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