US6M11TR Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 1W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *M11
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180m Ω @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 12V
Fall Time (Typ) 9 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.3A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1.5A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 600MOhm
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Number of Channels 2
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A 1.3A
Rise Time 10ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
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