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UT6JA3TCR Spécifications techniques

UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerUDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-N6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59m Ω @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
Avalanche Energy Rating (Eas) 4 mJ
FET Feature Standard
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 2W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.059Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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UT6JA3TCR fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, UT6JA3TCR prix de référence. UT6JA3TCR paramètres, UT6JA3TCR Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le UT6JA3TCR Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver UT6JA3TCR schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, UT6JA3TCR tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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