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UT6K3TCR Spécifications techniques
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 20 Weeks |
Package / Case | 6-PowerUDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Form | NO LEAD |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | S-PDSO-N6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42m Ω @ 5A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 5.5A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 12A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 2.4 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2017 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Power - Max | 2W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.042Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 30V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
UT6K3TCR Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
UT6K30TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
UT6K3TCR | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 589 |
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