2SK1070PIDTL-E Spécifications techniques

SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors JFETs
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Power - Max 150mW
Transistor Application AMPLIFIER
FET Technology JUNCTION
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 12mA @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 22V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Operating Mode DEPLETION MODE
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 5V
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15W
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 0V @ 10μA
Current Drain (Id) - Max 50mA
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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2SK1001-T1B RENESAS Circuits intégrés spécialisés 4000
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