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HAT2131R-EL-E Spécifications techniques

MOSFET N-CH 8SO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 450mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 350V
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