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NP100P06PDG-E1-AY
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NP100P06PDG-E1-AY Spécifications techniques
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Renesas Electronics America |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | TO-263 |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
NP100P06PDG-E1-AY Documents
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