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NP82N04PDG-E1-AY Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 82A TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 82A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 41A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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NP82N04PDG-E1-AY fabricants de marques: Renesas Electronics America, Bonchip action, NP82N04PDG-E1-AY prix de référence. NP82N04PDG-E1-AY paramètres, NP82N04PDG-E1-AY Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NP82N04PDG-E1-AY Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NP82N04PDG-E1-AY schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NP82N04PDG-E1-AY tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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