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RJH60T04DPQ-A0#T0
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RJH60T04DPQ-A0#T0 Spécifications techniques
IGBT TH
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Renesas Electronics America |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Part Status | Obsolete |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Input Type | Standard |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Power Dissipation-Max (Abs) | 208.3W |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 30A |
Gate Charge | 87nC |
Td (on/off) @ 25°C | 54ns/136ns |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 8V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Reach Compliance Code | compliant |
Power - Max | 208.3W |
Reverse Recovery Time | 100ns |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Test Condition | 300V, 30A, 10 Ω, 15V |
IGBT Type | Trench |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 180A |
Gate-Emitter Voltage-Max | 30V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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RJH60A01RDPD-A0 | RENESAS | Circuits intégrés spécialisés | 18000 |
RJH60A01RDPD-A0#J2 | Renesas Electronics America | Transistors - IGBT - Simple | 2635 |
RJH60A81RDPD-A0#J2 | Renesas Electronics America | Transistors - IGBT - Simple | 2773 |
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