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RJH65D27BDPQ-A0#T2 Spécifications techniques

IGBT - 650V/50A/TO-247A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 1mJ (on), 1.5mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 80ns
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 175nC
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 20ns/165ns
Supplier Device Package TO-247A
Power - Max 375W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) -
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