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RJK2006DPE-00#J3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package 4-LDPAK
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case SC-83
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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